中国在没有 EUV 的情况下追平了业界最先进的 DRAM 节点。代价是别人曝一次，它要曝四次

长鑫存储（ChangXin Memory Technologies，CXMT）周日在世界制造业大会上宣布，第五代 DRAM 技术平台（内部称 G5）实现量产。公司称已将存储阵列有源区半间距缩小至 11.95 纳米，把 high-k 金属栅工艺适配到 DRAM 上，并推出两款基于该平台的 LPDDR5X 产品：单颗 24Gb，分别采用 496Ball 和 245Ball 封装，面向中高端智能手机。单颗容量较上一代提升 50%，长鑫还表示 G5 的单片晶圆可得裸片数比 G4 至少多 50%。

11.95 纳米这个数字，把阵列尺寸放到了三星电子和 SK 海力士 1c 节点的同一水平线上。1c 是目前全球量产中最先进的 DRAM 节点。这是标题，而且是真的。它同时也是这次发布里最不值得看的部分。

这个数字量的是一个结构，不是一套工艺

韩国《首尔经济日报》引述的分析师立刻给出了必要的保留：11.95nm 描述的是某一个核心结构的尺寸，而"1c""12nm 级"这类 DRAM 节点标签是营销惯例，并不能拆解成可以相互比较的计量值。半间距数字告诉你的只是光刻解析出了什么，它不会告诉你单元面积、保持特性、良率，或者成本。

其中两项缺失格外重要。单片晶圆多出 50% 的裸片是毛数——缺陷筛选之前的潜在裸片数。而长鑫没有公布每比特成本，而决定一套 DRAM 工艺有没有竞争力的，只有这个数字。

别人曝一次，它曝四次

成本为什么缺席，从这个节点是怎么做出来的就能看见。EUV 光刻机不能出口到中国大陆，所以长鑫用 DUV 四重曝光解析 11.95nm 的图形：把设计上的一层拆成四次独立曝光，每次配一张自己的掩模，每次都要求比它所要放置的尺寸更严苛的套刻精度。

每多一次曝光，就多一张掩模、多一道工序、多吃掉一份套刻预算、多一次产生缺陷的机会。报道此次发布的中国科技媒体给出了长鑫自己新闻稿回避的那个结论：代际对齐不等于成本对齐。长鑫证明了它能把这个尺寸做出来，还没有证明它能在面对一次曝光就做到同样尺寸的三家在位厂商时，把它做得有利润。

这比"中国追上了"要窄，也比听上去更有持久性。多重曝光昂贵，但不是墙。它把设备禁运换算成了一个毛利率问题，而毛利率问题靠规模和时间解决——这两样长鑫现在都比一年前多。

是缺货在付这笔账

时机在这里起了很大作用。DRAM 正处于严重短缺：花旗预计到 2028 年需求增长 30% 至 35%，而供给只增长 19% 至 22%，因为 HBM 和服务器 DDR5 吸走了过去供给其他所有人的产能。在这样的市场里，贵的比特照样卖得掉。2026 年第二季度长鑫拿下全球 DRAM 收入的 9.5%，位列三星电子、SK 海力士、美光之后排名第四——它接手的，正是在位厂商把晶圆厂转向 AI 存储后让出来的通用市场份额。

市场给的定价相当慷慨。长鑫于 7 月底以每股 8.66 元在上海科创板上市，募资 579 亿元，是今年亚洲规模最大的股票发行；此后股价涨了约六倍，市值超过腾讯。本月初，它宣布在小米 18 Fold 上实现了 LPDDR6 在旗舰手机端的全球首发量产。

G5 没有回答的那道题叫 HBM

上面这些，都没有触及存储市场里真正在增长的那一块。DRAM 需求正在向高带宽存储（HBM）集中，而长鑫的 HBM3E 据报道仅处于试产阶段——没有量产，没有确认的客户，公司也没有正式公告。

HBM 不只是更先进的 DRAM，它是堆叠起来的 DRAM：十二颗或十六颗裸片通过硅通孔键合在一起，带来热的问题和良率逐层相乘的问题，而一个好的阵列节点并不能解决这些。做到 1c 尺寸是在那个市场上竞争的前提条件，不等于已经在那里竞争。

所以周日这则发布的诚实读法是：中国的 DRAM 产业用四次曝光换掉对手的一次曝光，在通用存储上补齐了光刻的差距，而且恰好赶在短缺让这笔账付得起的时候。没有补齐的，是 AI 正在掏钱的那一段。下一次值得读的长鑫公告，标题里会有 HBM。

Sources: 长鑫存储第五代技术平台正式量产 实现微缩工艺新突破 (CXMT) · 长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台实现量产 (21世纪经济报道) · 长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台G5量产，工艺达1c节点级别 (虎嗅) · China's CXMT Starts Mass Production on 5th-Generation DRAM Process (Seoul Economic Daily) · China's memory chip giant CXMT hit fresh record, up 6 times from IPO (The Standard) · 长鑫LPDDR6率先实现旗舰手机端首发量产 (CXMT)